Проект опытного завода по выпуску тонкоплёночных “GaN-on-GaN” источников белого света.

Целью Проекта является организация мелкосерийного/опытного производства мощных
полупроводниковых источников белого света на основе чипов большого размера 1 см х 1
см и более, для освещения теплиц, ферм, уличного освещения в городах Севера и тп.
Для увеличения светового потока компании, с 2000 года и до настоящего времени,
стремятся увеличить площадь чипа (светоизлучаемой площади). Стартовали с чипов
размером в микронах: 50 х 50, затем 300 х 300, далее: 1 мм х 1 мм, и, наконец, 5 мм х 5
мм. Чипы большего размера
можно реализовать
только на тонких плёнках со
светодиодной структурой и на однородных, чистых кристаллах, поскольку требуется
пропустить через структуру большой ток в 30-50 Ампер и отвести более 100 ватт тепла.
Для реализации этой цели будут использованы наши R&D разработки последних 18 лет, а
именно:
1 оптимизированы светодиодная структура для возбуждения люминофора со спектром,
близким к спектру света Солнца;
2 использована технология “GaN-on-GaN”, которая позволяет получать структуры с
низкой плотностью дислокаций и малой концентрацией примесей, и осуществлять
вертикальную накачку тонких плёнок большой площади (1 см 2 и более);
3 использована наша патентованная технология срезания плёнок толщиной от 3 до 50
микрон и диаметром до 100 мм (4 дюйма), лучом фемтосекундного лазера,;
4 использована технология срезания тонкой плёнки с полупроводниковой структурой;

5 использована концепция «клонирования» подложки или «бесподложечная» технология
“GaN-on-GaN”, когда тонкая плёнка
GaN, толщиной 3-5 микрон, со светодиодной
структурой, срезается по всей площади пластины объёмного GaN, и после разрезания на
чипы (dicing) переносится в корпус, а оставшаяся часть обёмного GaN переносится на
полировку и далее по кругу , смотри Рис.1, стр. 16,
Перечисленные разработки, составляют основу новой технологической платформы
для производства ЭКБ полупроводниковых приборов на основе A3B5 (GaN, InN и AlN ),
также SiC и алмаза. В результате, сочетание высокого светового потока изделий, с относительно невысокой
ценой, (тонкие плёнки 3-5 микрон, вместо подложек толщиной 400 микрон; отсутствие фотолитографии в пост-росте и благодаря новой технологической платформе) изделиям
обеспечен широкий спрос на отечественном и зарубежном рынках для освещения улиц,
площадей, рыбных комплексов, помещений и территорий животноводческих ферм, ферм
для выращивания птиц и автономным масштабируемых закрытых тепличных комплексов
применяемых в районах Арктики, Крайнего севера и районах с неустойчивым и
засушливым климатом. Компания, ведущая Проект : АО «ТРИНИТРИ», действующая на территории
г. Санкт - Петербурга.
Изделие: мощные твердотельные источники света на основе светодиодная плёнка,
большой площади 1- 10 см2 , представляет собой электролюминесцентный прибор,
изготовленный из полупроводникового нитрида галлия (GaN). Для производства изделий
будет использоваться передовая “GaN-on-GaN” технология, т.е. будет использоваться гомо-
эпитаксиальный процесс выращивания GaN-приборных структур на естественной GaN-
подложке, что позволяет существенно улучшить эксплуатационные характеристики и срок
службы изделий.
1.2.Стоимость Проекта
Стоимость Проекта составляет 1 977 000 000 руб.
Срок реализации проекта: 2021-2023 год.
Распределение долей прибыли от деятельности Компании - 25/75%
Из них 25% инвестору, 75% компании-инициатору Проекта.
Срок окупаемости – 5 лет.
Планируемые источники финансирования проекта (в рублях, процентах) - привлеченные
инвестиции – 100% - 1 977 000 000 руб.
Характер строительства - новое строительство.
1.3.Эффективность реализации проекта.
Предлагаемые нами технологии позволяют выпускать полупроводниковые источники света
с высокими потребительскими качествами. Например, для источника света с площадью
1 см2 световой поток составит 20 000 люмен, энергетическая эффективность 200 люмен /
ватт и долговечность - 50 лет. При этом себестоимость изделий относительно невысокая,
за счет инновационной технологии. После выхода на планируемую производственную
мощность опытный завод сможет выпускать до 7000 единиц продукции в месяц. При необходимости производство легко масштабировать в течение короткого промежутка
времени, что даст прирост выпускаемых изделий на 40% на этих же площадях.
Почему мы предлагаем начать с опытного производства? Следует отметить, что завод
массового производства любого полупроводникового прибора стоит не менее 1-2 млрд
долларов США. Опытный завод будет стоить около 2 млрд.рублей - в 80 раз дешевле, при
курсе рубля 1 доллар =80 рублей. В России до сих пор нет производства чипов на основе
GaN, хотя попытки были - «Оптоган» и «Светлана Оптоэлектроник». Причины просты -
они пытались догонять мощные корпорации с миллиардными инвестициями не имея новых
прорывных идей и мощных инвестиций. Мы, работая с тайваньцами над проектом завода
по производству светодиодов на сапфировых подложках, поняли, что нам на этом пути их
не догнать. Поэтому мы решили вначале разработать собственное технологическое
оборудование, вырастили подложки GaN, прошли R&D стадии каждого технологического
шага и теперь мы готовы к организации опытного завода для производства мощных
светодиодных структур и излучателей.
1.4.Выручка от реализации продукции (товаров, услуг) с
разбивкой по годам в тыс. руб.
2021 – 0


2022 – 1 466 666 667
2023 – 2 800 000 000
2024 – 2 800 000 000
2025 – 2 800 000 000
- валовая прибыль с разбивкой по годам, в тыс. руб.;
2021 – 0
2022 – 1 283 333 333
2023 – 2 450 000 000
2024 – 2 450 000 000
2025 – 2 450 000 000
- планируемые сроки окупаемости Проекта РВР – 35 месяцев (13 месяцев, с момента
выхода Завода на полную мощность.)
- чистый дисконтированный доход (NPV) 1 816772 тыс. руб.;
- внутренняя норма доходности (IRR) 56%;
Средняя рентабельность:
- продаж – 41,45%;
- собственного капитала – 29,04%;
- оборотных активов – 40,22%;
- инвестиций – 22,31%.